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碳化硅襯底片
碳化硅襯底片

碳化硅(SiC)——第三代半導體單晶材料

迄今為止,以硅(Si)、砷化鎵(GaAs)為代表的第一、第二代半導體推動(dòng)了微電子、光電子技術(shù)的迅猛發(fā)展。隨著(zhù)電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展,半導體器件需求也在增加,電流、電壓等級越來(lái)越高,芯片越薄越小,導通壓降低,開(kāi)關(guān)頻率高、損耗小等等。Si基半導體由于材料特性所限已經(jīng)無(wú)法滿(mǎn)足需求,而以碳化硅SiC等新材料為主的新型半導體材料,以其優(yōu)越的性能突破Si的瓶頸,給半導體器件性能帶來(lái)了顯著(zhù)提升。
碳化硅SiC半導體器件的優(yōu)勢
(1)比導通電阻是Si器件的近千分之一(在相同的電壓/電流等級),可以大大降低器件的導通損耗; (2)開(kāi)關(guān)頻率是硅器件的20倍,可以大大減小電路中儲能元件的體積,從而成倍的減小設備體積,減少貴重金屬等設備的消耗; (3)理論上可以在600度以上的高溫環(huán)境下工作,并有抗輻射的優(yōu)勢,可以大大提高系統的可靠性,在能源轉換領(lǐng)域具有巨大的技術(shù)優(yōu)勢和應用價(jià)值。
碳化硅晶體6英寸
碳化硅晶體6英寸
碳化硅晶體4英寸
碳化硅晶體4英寸
加工后SiC單晶片
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